RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
44
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1920
2069
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link