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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1920
2069
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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