RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Compara
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
26
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2030
2633
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link