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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
77
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2935
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
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