RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Compara
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Puntuación global
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
71
En 62% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
71
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2032
1650
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston KF552C40-16 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link