RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
71
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.5
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.5
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2032
1650
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link