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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Compara
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
39
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
39
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2102
2443
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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