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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
40
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2078
2764
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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