RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
51
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
21
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3512
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link