RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
51
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3512
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kllisre 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link