RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
65
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость записи
18.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
20.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4173
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMT3020EF48E8W1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link