RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

PNY Electronics PNY 2GB против Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

PNY Electronics PNY 2GB Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 37
    Около 27% меньшая задержка
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB Причины выбрать
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    15.1 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.6 left arrow 8.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.8 left arrow 15.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 9.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2274 left arrow 2758

PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB Сравнения RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
модули RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
модули RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
модули RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
модули RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
модули RAM