RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3257
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-502.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link