RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3257
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link