RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3257
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link