RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2148
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link