RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
45
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2148
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link