RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3415
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link