Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 37

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.6 13.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.6 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 23
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 19.6
Скорость записи, Гб/сек

8.4 17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 4000

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

AMD R748G2606U2S 8GB

AMD R748G2606U2S 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

модули RAM