RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3512
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link