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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Compara
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Puntuación global
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
70
En 60% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
70
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1857
2519
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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