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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
28
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
18
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1857
3564
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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