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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.1
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1807
2323
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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