RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony -37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1807
2323
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link