RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3140
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link