RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3140
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link