RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
45
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
17
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3775
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link