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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
45
左右 -165% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
17
读取速度,GB/s
11.9
21.4
写入速度,GB/s
8.1
19.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3775
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Jinyu 16GB
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Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
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