RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3430
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link