RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3430
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link