RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
41
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2142
3085
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link