Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    22 left arrow 48
    Wokół strony -118% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    12.4 left arrow 8.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.3 left arrow 5.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    48 left arrow 22
  • Prędkość odczytu, GB/s
    8.9 left arrow 12.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    5.9 left arrow 8.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1420 left arrow 1886
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania