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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
48
Por volta de -118% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.4
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
22
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
12.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
1886
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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