RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3204
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link