RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Compara
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Puntuación global
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
25
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
25
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2510
3768
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link