RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Compara
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2510
2773
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link