RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Compara
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
32
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2510
2386
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link