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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Puntuación global
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Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    12.4 left arrow 12.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.3
    Valor medio en las pruebas
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    28 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.4 left arrow 12.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2329 left arrow 2018

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM

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