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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.4
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
8.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.4
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.6
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2329
2018
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
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