Comparación de la memoria RAM Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

22 31

En 29% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.5 15.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.5 9.8

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 12800

En 2 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2510 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns