RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Compara
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Puntuación global
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
71
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
71
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1489
1650
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link