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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Comparar
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Pontuação geral
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Pontuação geral
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
71
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.3
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
13.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
71
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
6.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1489
1650
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Comparações de RAM
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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