RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
2971
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link