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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
3260
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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