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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
30
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
2509
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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