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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
2892
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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