RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
2193
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU5-GN-F 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link