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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
32
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
1897
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
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