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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1917
2619
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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