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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Compara
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Puntuación global
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
37
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
5.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
37
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1731
3075
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
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