Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Puntuación global
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Puntuación global
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    18 left arrow 84
    En -367% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.4 left arrow 5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    17.2 left arrow 3.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    84 left arrow 18
  • Velocidad de lectura, GB/s
    5.0 left arrow 20.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    3.6 left arrow 17.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    878 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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