RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
84
Около -367% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
3.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
84
18
Скорость чтения, Гб/сек
5.0
20.4
Скорость записи, Гб/сек
3.6
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
878
3814
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link